<bdo id="4pmyu"><xmp id="4pmyu"></xmp></bdo>
    <menu id="4pmyu"><strong id="4pmyu"></strong></menu>

  1. <sub id="4pmyu"></sub>

  2. 加入收藏    設為首頁
    熱銷產品
    > 熱銷產品 > 文章正文

    FF200R12KS4英飛凌IGBT模塊

    產品作用和性能:
    英飛凌FF200R12KS4 是英飛凌公司專門針對高頻應用領域而開發發行的62mmC-Series模塊,在變頻器中的應用實現了系統的高效率和小型化,其開關頻率在20~50kHz的應用場合能發揮最大優良特性 。而在典型情況下, IGBT模塊的優化,所針對的載波頻率卻是10kHz或更低。通常,在IGBT/FWD芯片的通態壓降和開關損耗之間有一個折衷關系。高速模塊在進行性能折衷時,是讓通態電壓偏大,以換取偏低的開關功耗,從而能在高頻應用中實現最低的總功耗。其在醫療應用、電機傳動、諧振逆變器應用、伺服驅動器、UPS系統作為高頻開關使用。
    英飛凌IGBT模塊FF200R12KS4 
    英飛凌IGBT模塊FF200R12KS4
    上海菱端電子科技有限公司www.caszhuohouse.com常備FF200R12KS4大量現貨,價格從優,歡迎聯系采購及技術支持。
     


    英飛凌FF200R12KS4機械特性 :
    • 封裝的CTI>400 
    • 高爬電距離和電氣間隙 
    • 絕緣的基板 
    • 銅基板
    • 標封裝

    英飛凌FF200R12KS4 基本參數:IGBT模塊,1200V/200A DUAL
     
    英飛凌FF200R12KS4 外形封裝尺寸和結構圖
     
    英飛凌FF200R12KS4 外形封裝尺寸和結構圖
     
    英飛凌FF200R12KS4 產品參數:
     
    產品種類: IGBT 模塊
    產品: IGBT Silicon Modules
    品牌和型號 英飛凌FF200R12KS4
    配置: Dual
    集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
    集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
    在25 C的連續集電極電流: 275 A
    柵極—射極漏泄電流: 400 nA
    功率耗散: 1.4 kW
    最大工作溫度: + 125 C
    封裝 / 箱體: 62 mm
    商標: Infineon Technologies
    柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
    最小工作溫度: - 40 C
    安裝風格: Screw
    產品價格和中英文資料 聯系我們咨詢和索取
    每盒數量: 10
     
    英飛凌FF200R12KS4  等效電路
    英飛凌FF200R12KS4  等效電路
     
    英飛凌FF200R12KS4 IGBT模塊受損原因分析
     
     IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定:
      --IGBT柵極與發射極之間的電壓;
      --IGBT集電極與發射極之間的電壓;
      --流過IGBT集電極-發射極的電流;
      --IGBT的結溫。
      如果IGBT柵極與發射極之間的電壓,即驅動電壓過低,則IGBT不能穩定正常地工作,如果過高超過柵極-發射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發射極允許的電壓超過集電極-發射極之間的耐壓,流過IGBT集電極-發射極的電流超過集電極-發射極允許的最大電流,IGBT的結溫超過其結溫的允許值,IGBT都可能會永久性損壞。
      驗證碼: 點擊我更換圖片
         上海菱端電子科技有限公司:
         聯系人:夏小姐
         服務熱線:021-58979561
         業務咨詢qq:447495955
         業務咨詢qq:1852433657
         業務咨詢qq:513845646
         技術支持qq:313548578
         技術交流群:376450741
         業務咨詢:  點這里給我發消息
         業務咨詢:  點這里給我發消息
         業務咨詢:  點這里給我發消息
         技術支持:  點這里給我發消息
         媒體合作:  點這里給我發消息

      一本久久a久久精品综合_欧美乱码视频免费观看_久久亚洲欧美日本精品_不油炸的茄子做法视频