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    斬波電路IGBT模塊損耗計算

    IGBT模塊損耗:
    IGBT模塊
    IGBT:
    通態損耗
    開關損耗(開通損耗EON、關斷損耗EOFF)
    FWD:
    通態損耗
    開關(反向恢復)損耗 ERR
    斬波電路平均損耗的計算:
    斬波電路平均損耗的計算
    平均損耗計算范例
    PRHMB100B12, Vcc=600V, Ic=100A, RG=10Ω,VGE=±15V, f=10kHz, 導通比 :3:1
    通態損耗 : 100(A)×2.2*1(V)×3/4=160(W)
    開通損耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)=95(W)
    關斷損耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)=95(W)
    IGBT 損耗合計 : 350(W)
    通態損耗 : 100(A)×1.9*2(V)×1/4=47.5(W)
    開關(反向恢復)損耗 : 8.5(mJ)×10(kHz)=85(W)
    FWD 損耗合計 : 132.5(W)
    模塊損耗合計 482.5(W)
    *1 Ic=100A, TJ=125℃時的集電極-發射極之間的飽和壓降
    *2 IF=100A, TJ=125℃ 時的FWD正向電壓
    相對于外殼溫度的結溫上升:
    相對于外殼溫度的結溫上升
    相對于環境溫度、散熱片溫度的外殼溫度上升:
    接觸熱阻 Rth(c-f),散熱片熱阻 Rth(f-a)
    相對于環境溫度、散熱片溫度的外殼溫度上升
    外殼溫度和散熱片/周圍溫度的差距
    Tc-Tf                       Rth(c-f)×482.5
    Tf-Ta                       Rth(f-a)×482.5

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